英特尔晶圆代工部门今晨宣布一项关键进展：采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破100万片大关。这一数字涵盖了设备认证、测试研发以及部分产品层的量产环节，意味着这项下一代光刻技术正从实验室验证稳步走向实际生产线。
High-NA EUV是传统EUV光刻的进阶版本，物镜数值孔径从0.33提升至0.55，能够在晶圆上刻画更精细的图形，并有望简化部分复杂的多重曝光工艺。对先进制程而言，这意味着更高的晶体管密度、更低的制造复杂度，以及芯片性能与能效的潜在提升。英特尔同时披露，其High-NA EUV晶圆处理总量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商之和，在这条新赛道上占据了明显的先发位置。
目前，英特尔已在俄勒冈州部署至少三台High-NA EUV光刻机，并将其用于Intel 18A制程的部分生产。公司表示，采用该技术制造的Panther Lake处理器部分层，在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率等关键指标上均达到预期。英特尔并未把整个18A制程全面切换到新设备，而是选择关键层试产，同时在传统0.33数值孔径EUV设备上完成相同层次的加工，以便对两种技术路径的制造表现做直接对比。对比结果显示，新平台生产的层级在性能上已持平甚至更优。
英特尔认为，未来AI产品对制造技术的要求将持续攀升，不仅需要更高的性能和密度，还依赖稳定的量产能力与较低的采用门槛。客户目前仍可沿用现有6英寸光掩模使用新设备，既能在掩模限定范围内设计芯片，也可借助拼接技术和工艺设计套件（PDK）满足更大面积的制造需求。当然，这类设备的成本与工艺控制要求也显著更高，全面普及仍需时间。
随着AI芯片对先进制程的需求不断加码，High-NA EUV能否从关键层试产走向规模化量产，将直接影响下一代芯片的竞争格局，其后续表现值得关注。
信息来源：快科技
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