6月29日，韩国政府官员表示，三星电子和SK海力士计划在韩国忠清地区投资81万亿韩元建设HBM（高带宽存储）封装设施，进一步提升韩国AI存储芯片先进封装能力。此前韩国政府已宣布，将推动约800万亿韩元企业投资，在西南地区建设四座存储芯片晶圆厂，并计划未来15年投入30万亿韩元研发下一代存储技术，加快打造覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。
文章来源：界面新闻
免责声明：本站转载的文章，版权归原作者所有；旨在传递信息，不代表本站的观点和立场。
6月29日，韩国政府官员表示，三星电子和SK海力士计划在韩国忠清地区投资81万亿韩元建设HBM（高带宽存储）封装设施，进一步提升韩国AI存储芯片先进封装能力。此前韩国政府已宣布，将推动约800万亿韩元企业投资，在西南地区建设四座存储芯片晶圆厂，并计划未来15年投入30万亿韩元研发下一代存储技术，加快打造覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。
文章来源：界面新闻
免责声明：本站转载的文章，版权归原作者所有；旨在传递信息，不代表本站的观点和立场。
